IMT4T108
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | IMT4T108 |
---|---|
Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | TRANS 2PNP 120V 0.05A 6SMT |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $0.38 |
10+ | $0.31 |
100+ | $0.2109 |
500+ | $0.1582 |
1000+ | $0.1187 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 120V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1mA, 10mA |
Transistor-Typ | 2 PNP (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse | SMT6 |
Serie | - |
Leistung - max | 300mW |
Verpackung / Gehäuse | SC-74, SOT-457 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Frequenz - Übergang | 140MHz |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE | 180 @ 2mA, 6V |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 50mA |
Grundproduktnummer | MT4 |
IMT4T108 Einzelheiten PDF [English] | IMT4T108 PDF - EN.pdf |
IGBT Modules
IMT QFP
SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8
DIODES SOT-26
IGBT Modules
IGBT Modules
ROHM SOT23-6
ROHM SOT23-6
ROHM sot163
SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8
SILICON CARBIDE MOSFET PG-HSOF-8
IMT QFP0707
NO New
IGBT Modules
TRANS 2PNP 120V 0.05A SOT26
SILICON CARBIDE MOSFET
SILICON CARBIDE MOSFET
IMT QFP0707
IGBT Modules
ICMAX BGA
2024/05/16
2024/05/28
2024/05/30
2024/07/4
IMT4T108Rohm Semiconductor |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|